场效应管测试仪pcb抄板与芯片解密案例
发布：http://www.xlbcb.com/ | 作者： | 发表时间：2010-01-14
致远公司在原样机的基础上进行二次开发而研制，在保持原样机所有功能的前提下满足了客户的个性化需求，其产品投放市场后已取得了良好的经济效益，深受用户赞誉。
本仪器可测J型和MOS型小功率（300mW以下）场效应管（含对管）的三个常用参数：低频正向跨导Gm，饱和漏电流Idss，夹断电压Vp或开启电压。
1.工作特性
1.1额定使用条件及规格
1.1.1环境温度：0～40℃
1.1.2环境湿度：40℃ 20～90%RH
1.1.3大气压强：86～106KPa
1.1.4供电电压：220V±10% 50Hz±5%
1.1.5外电磁干扰：应避免
1.1.6阳光照射：应避免直射
1.1.7通风条件：良好
1.1.8工作位置：水平或前仰15°
1.1.9外形尺寸：340×133×300（㎜）
1.1.10重量：≈5㎏
1.1.11工作时间：连续工作8小时
1.1.12预热时间：15分钟
1.1.13消耗功率：不大于12W
1.2参数测试范围
1.2.1漏源电压VDS：±（1.5～15V）
误差：±（2%VX+1%VM）
VX--电压设定值（或读数）
VM--电压满度值
1.2.2饱和漏源电流IDSS：0～20～100mA
误差：±（2%IX+1%IM）
1.2.3夹断电压VP或开启电压VT：0～10V
误差：±（2%VX+1%VM）
测试电流IDS为：1，10，50
1.2.4低频正向跨导gm：1～20mS（扩展后为40mS）
误差：±（3%gmx+1%gmM）
测试条件VDS：1.5～15V
IDS：0～10mA
f：1000Hz 10mV
以上信息由深圳致远公司（http://www.pcbvs.com/index.html）提供。目前，致远公司专业研发团队已经成功实现上述产品的仿制克隆与二次开发项目，长期提供相关项目合作与全套技术资料的转让，诚挚欢迎您来电来访咨询详情。
